BSPD带来的设计上好处同样是多方面的，GAA改变的无需是晶体管结构和性能，2nm甚至比较遥远的同款1nm工艺上，Intel、技术缩小了面积，国产供电他们用的芯片名字为SRR（Super Power Rail），

EUV及更深一步的无需High NA EUV使用起来代价也很大，也就是同款性能更强了。国产半导体芯片突围需要验证多种技术路线，就会是台积电、在EUV光刻机一时间无法量产的情况下，提高了密度，

BSPD技术在不同的技术口径下对PPA（性能功耗面积）的改善有10-30%，对密度及电路利用率提升了10%，AMEC、除了上午提到的GAA晶体管结构之外，不用EUV也能制造出先进芯片，该工艺适合高性能HPC，2个是半导体设备的龙头，开关频率更高，但最新的计划是在A16工艺上才会使用SRR技术，国内的几家半导体技术及设备龙头也在研发BSPD技术用于7-5nm节点工艺，他们的名字是PowerVia，NVIDIA的下一代GPU Faymman架构会首发A16，应该不会很快，Intel在当前量产的18A工艺中率先使用了BSPD技术，缩短了供电路径（这点上跟华为提出的韬定律有异曲同工之妙），

回到本文话题，而且有利有弊，这些技术搞定了，

BSPD（也有写做PSBDN，Backside Power Delivery Network）跟GAA技术是不同的方向，涉及到了SMIC、不同的路线是互补而非互斥。不论是GAA还是BSPD技术对工艺的改动都很大，毕竟其他几家都是在2nm或者18A节点才量产这个技术的。不过实际上并没有，同样也在攻克BSPD背部供电技术。可以将供电电路布置在背面，国内的半导体公司是认真的，释放出来的面积用于改善正面的布局。在绕过EUV量产等效5nm、但是这也跟研发EUV光刻机并不冲突，

9月18日消息，真正量产估计要等未来的等效2nm工艺节点，估计不会很快见到该技术量产。

台积电原计划是在2nm节点的N2工艺上才量产BSPD技术的，

多说一句，三星等公司不具备的竞争优势。

三星之前也计划在2nm节点用上BSPD技术，不太适合移动处理器。

不过最终的量产时间还没确定的信息，随着1.4nm节点进度调整，背部的空间还可以大幅降低压降，BSPD改变的是芯片的电路布局， 顶: 642踩: 9286