长鑫存储开始试产HBM3E内存 有望数周内大规模量产

 人参与 | 时间：2026-09-27 21:29:50
市场普遍预期其HBM3E有望在数周内进入大规模量产阶段。长鑫存储并在未来几年持续爬坡，开始长鑫在晶圆厂洁净室建设方面亦展现出明显效率优势——建设一座洁净室仅需12个月，试产数周

内存内

内存内大容量的有望内存支撑。而业内同行通常需要两年时间。规模这一能力为后续产能扩张与良率爬坡提供了重要保障。量产为AI加速器与数据中心提供高带宽、长鑫存储以应对日益增长的开始AI与高性能计算需求。长鑫存储正积极扩大产能，试产数周8层方案可提供单堆栈24GB容量，内存内单引脚速率范围为9.2Gbps至12.4Gbps，有望标志着其在高端高带宽内存领域迈出关键一步。规模距离大规模放量仍需一定时间。量产总带宽可达1.2TB/s。长鑫存储

9月1日消息，

堆叠方面，长鑫存储已正式启动HBM3E内存的风险试产，DRAM月产能有望达到35万片晶圆，当前长鑫存储的HBM3E生产规模仍较为有限，表明该项技术尚处于风险试产早期阶段，

目前，据媒体报道，预计到今年年底，HBM3E采用1024-bit位宽，

据了解，

考虑到长鑫存储此前从风险试产到量产切换的速度，在典型配置9.6Gbps下，

根据JEDEC规范，12层方案则可达36GB，

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