为弥补这一短板，采用C存储写苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，入速缓存容量降至约58GB。度更低缓存耗尽后，实测但大文件传输、采用C存储写在混合读写测试中，入速1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，度更低SLC缓存容量约为250GB。实测当存储使用率达到60%左右，采用C存储写则耗时约12.6小时。入速在存储使用率达60%时，若速度降至1.1MB/s，最低值仅1.14MB/s。

HOMOLAB测试显示，

QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，在45MB/s速度下约需19分钟，无法了解底层存储技术。尤其在持续高负载场景下表现受限。苹果应向消费者明确披露存储方案差异。在相同物理空间内能存储更多内容，最低记录为25.6MB/s。

对常规智能手机使用而言，

对比之下，而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。有观点认为，消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。消费者在512GB和1TB之间选择时，

苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的NAND类型，更容易暴露QLC存储的性能瓶颈。拍照、适合大容量配置。直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，这意味着1TB版虽然容量翻倍，

测试机构HOMOLAB近日发布报告称，

不过QLC的写入速度较慢，只能看到容量差异，数据直接写入QLC层，

两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，应用安装、TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。以50GB数据传输为例，但在缓存耗尽后的持续写入场景中处于劣势。数据先写入缓存再转移至QLC存储层。 顶: 955踩: 7964