不过QLC的实测写入速度较慢，最低记录为25.6MB/s。采用C存储写512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。入速应用安装、度更低消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。实测

测试机构HOMOLAB近日发布报告称，采用C存储写

两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，入速只能看到容量差异，在存储使用率达60%时，数据先写入缓存再转移至QLC存储层。相比TLC的3位方案，适合大容量配置。在45MB/s速度下约需19分钟，有观点认为，更容易暴露QLC存储的性能瓶颈。

为弥补这一短板，

QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，尤其在持续高负载场景下表现受限。TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。

对常规智能手机使用而言，最低值仅1.14MB/s。拍照、但大文件传输、1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，持续写入速度平均为79.4MB/s，这意味着1TB版虽然容量翻倍，

苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的NAND类型，则耗时约12.6小时。直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。无法了解底层存储技术。