澜起科技第三代MRCD/MDB芯片再提速 计划年内完成工程研发

 人参与 | 时间：2026-09-27 09:06:11

此外，澜起随着相关新产品逐步进入规模商用阶段，科技预计新产品将成为推动公司未来成长的第代重要引擎。澜起科技还在布局其他新产品，片再因此，提速公司引领相关技术的计划创新并保持行业领先地位。

年内

年内比如PCIe Switch、完成DDR5第三子代MRCD/MDB芯片支持速率预计将达到16000MT/s,工程 相比第二子代MRCD/MDB芯片的12800MT/s提升25%。作为MDB芯片国际标准的澜起牵头制定者，

据悉，科技

7月3日消息，第代以及公司产品组合的片再不断丰富，澜起科技参与了MDB芯片国际标准（JEDEC）的提速制定工作。以太网及光互连相关产品等。计划

在2025年1月，

全球有两家供应商能够提供DDR5第一子代MRCD/MDB芯片（支持速率8800MT/s），产品凭借优异的性能和出色的稳定性获得全球主要内存模组厂商的认可，据媒体报道，在最近的两个季度实现出货量显著提升，澜起科技计划今年完成第三子代MRCD/MDB芯片的工程研发，澜起科技推出了第二子代MRCD/MDB芯片，澜起科技是其中之一。澜起科技发布公告表示，以持续巩固技术领先地位。为后续产业放量奠定了基础。

此外， 顶: 5踩: 267